IPB019N08N5 دیتاشیت

IPB019N08N5

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IPB019N08N5
حجم فایل 51.765 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 11

دانلود دیتاشیت IPB019N08N5

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: -
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies IPB019N08N5
  • Power Dissipation (Pd): -
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): -
  • Drain Source Voltage (Vdss): -
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): -
  • Continuous Drain Current (Id): -
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): -
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): -
  • Package: TO-263-7
  • Manufacturer: Infineon Technologies

محصولات مشابه